Его планируют открыть к концу года
ТОКИО, 6 ноября. /ТАСС/. Правительство Японии планирует выделить порядка 350 млрд иен (около $2,38 млрд) на создание совместного с США научно-исследовательского центра для разработки 2-нанометровых полупроводников следующего поколения. Об этом сообщила в воскресенье газета Nikkei.