Американский полупроводниковый гигант компания Micron Technology приступила к работам по расширению своего завода в префектуре Хиросима, направленное на массовое производство передовых полупроводников для генеративного искусственного интеллекта и других приложений. Церемония закладки первого камня состоялась в субботу.
В настоящее время компания Micron Technology производит полупроводниковые компоненты памяти DRAM на своем заводе в городе Хигасихиросима.
По данным Министерства экономики, торговли и промышленности Японии, компания планирует наладить массовое производство передовых полупроводников для использования в генеративном искусственном интеллекте и других приложениях, а также инвестировать около 1,5 трлн иен, или примерно 9,3 млрд долларов, в расширение завода и связанные с этим работы. Министерство предоставит субсидии в размере до 536 млрд иен, или около 3,3 млрд долларов.
В своем выступлении на церемонии закладки первого камня в субботу министр промышленности Акадзава Рёсэй заявил, что полупроводники не только способствуют реализации проектов DX и GX, но и являются чрезвычайно важными стратегическими материалами с точки зрения экономической безопасности.
Компания Micron Technology сообщает, что строительство производственных мощностей завода будет проходить поэтапно, а установка оборудования для производства полупроводников запланирована на вторую половину 2028 года.
После церемонии Акадзава сказал: «Ожидается, что спрос на полупроводники будет быстро расти по мере того, как мы вступаем в эпоху искусственного интеллекта».
Он добавил: «Крайне важно создать отечественную производственную базу для полупроводников, включая компоненты памяти DRAM, и обеспечить стабильную систему поставок».
