Его планируют открыть к концу года
ТОКИО, 6 ноября. /ТАСС/. Правительство Японии планирует выделить порядка 350 млрд иен (около $2,38 млрд) на создание совместного с США научно-исследовательского центра для разработки 2-нанометровых полупроводников следующего поколения. Об этом сообщила в воскресенье газета Nikkei.
Договоренность о его создании была достигнута в конце июля, когда прошли переговоры глав внешнеполитических и экономических ведомств Японии и США в формате «2+2».
Как ожидается, научно-исследовательский центр создадут к концу года. В проекте примут участие Токийский университет, японский Национальный институт передовых промышленных наук и технологий, Институт естественных наук «Рикэн». В проекте примут участие несколько компаний, однако их назовут позднее. В качестве одного из кандидатов рассматривается американская IBM.
Власти Японии планируют выделить 450 млрд иен (около $3,07) в качестве субсидий компаниям, создающим производства полупроводников. Еще 370 млрд иен (около $2,52 млрд) направят на укрепление цепочек поставок материалов, необходимых для производства чипов, в том числе кремниевых полупроводниковых пластин и карбида кремния.
Соответствующие расходы включат во второй дополнительный бюджет на этот финансовый год. Инвестиции в технологическую сферу ранее анонсировал премьер-министр Японии Фумио Кисида.
